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推荐这款大功率900V场效应管??KNX4390A匹配型号FQPF4N90C代换使用,该产品可广泛应用于仪器仪表、PD快充、电源转换器、马达驱动及电焊机等。
www.kiaic.com/article/detail/4577.html 2023-11-03
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从PN结制造工艺上,核心原理是根据杂质补偿,通过掺杂获得,如下图, P-type 掺杂和 N-type 掺杂接触后,中间形成一个耗尽区(或者称为空间电荷区,如下图右上);两个的交接线周围形成一个PN结(如下图左上)。
www.kiaic.com/article/detail/4576.html 2023-11-03
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差动输入级:以一差分放大器作为输入级,提供高输入阻抗以及低噪声放大的功能。
www.kiaic.com/article/detail/4575.html 2023-11-03
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KIA35P10A是一款自动化设备的电机驱动专用MOS管,采用先进的沟槽MOSFET技术,提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。KIA35P10A漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ,RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V,封装形式:TO-252;
www.kiaic.com/article/detail/4574.html 2023-11-02
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传感器定义:能够感受诸如力、温度、光、声、化学成分等物理量,并能把它们按照一定的规律转换为便于传送和处理的另一个物理量(通常是电压、电流等电学量),或转换为电路的通断。
www.kiaic.com/article/detail/4573.html 2023-11-02
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主电源供电时,中间继电器K1线圈得电,K1的常开点闭合,交流接触器KM2线圈得电,K1的常闭触点断开,KM1线圈无法工作。当主电源断电时,K1的常开点复位接触器KM2线圈失电,K1常闭触点复位接触器KM1线圈得电,备用电源供电。
www.kiaic.com/article/detail/4572.html 2023-11-02
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KNX2908B场效应管采用先进的N沟道沟槽技术,漏源击穿电压80V, 漏极电流最大值为130A ,能够代换110n8f5和100n08这两款型号来使用。
www.kiaic.com/article/detail/4571.html 2023-11-01
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场效应晶体管 (FET) 的阈值电压通常缩写为 Vth 或 VGS(th),是在源极端子和漏极端子之间形成导电路径所需的最小栅源电压 (VGS)。场效应晶体管(FET)的阈值电压就是指耗尽型FET的夹断电压与增强型FET的开启电压。
www.kiaic.com/article/detail/4570.html 2023-11-01
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MOS管由源极、漏极和栅极三个电极组成。根据栅极和沟道之间的型别不同,MOS管可分为P型MOS管和N型MOS管,PMOS管中的沟道为P型沟道,而NMOS管中的沟道为N型沟道。
www.kiaic.com/article/detail/4569.html 2023-11-01
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ZVS (Zero Voltage Switching) 是一种电源转换技术,其目的是在开关功率电路中实现零电压开关。ZVS电源的工作原理是通过控制开关管的导通和关断时机,实现电源的高效转换。
www.kiaic.com/article/detail/4568.html 2023-10-31
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运放减法器是一种功能强大、应用广泛的放大器,具有很高的精度、稳定性和灵活性,可以实现信号的放大,还能进行差分运算和滤波等操作,被广泛应用于传感器信号处理、信号调理和滤波、自动控制系统等领域。
www.kiaic.com/article/detail/4567.html 2023-10-31
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7812,①脚为+24V输入,②脚为公共地(接-24V),③脚是+12V输出,输出的-12V接在②脚公共地。
www.kiaic.com/article/detail/4566.html 2023-10-31
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KCX3310A场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流最大为85A;RDS(on)(典型值)=5mΩ@Vgs=10V,3310A采用先进的SGT技术,具有极低的开关损耗、卓越的稳定性、良好的开关特性等优点,适用于电源切换应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。封装形式:DFN5*6、TO-2...
www.kiaic.com/article/detail/4565.html 2023-10-30
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当接通电源后,在瞬间内利用通过变压器将低压汽车电源升至2万伏以上的高压脉冲激活氙气灯泡中的氙气在电弧中产生3000-12000K色温度,从而激活氙气灯的照明。这变压器就是我们所说的“安定器”。
www.kiaic.com/article/detail/4564.html 2023-10-30